کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
540685 | 871333 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Air gap formation by UV-assisted decomposition of CVD material
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A sacrificial material deposited by CVD is used to demonstrate air gap formation in single damascene structures by UV-assisted decomposition. The material is removed through a porous low-k cap, after completion of the damascene scheme. The porosity of the low-k cap is shown to be critical for efficient air gap formation. Capacitance reduction of ∼50% is demonstrated using this technique compared to conventional SiOC(H) interconnects and an effective dielectric constant of 1.7 is extrapolated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 85, Issue 10, October 2008, Pages 2071–2074
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 85, Issue 10, October 2008, Pages 2071–2074
نویسندگان
M. Pantouvaki, A. Humbert, E. VanBesien, E. Camerotto, Y. Travaly, O. Richard, M. Willegems, H. Volders, K. Kellens, R. Daamen, R.J.O.M. Hoofman, G. Beyer,