کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
540691 | 871333 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dense SiOC cap for damage-less ultra low k integration with direct CMP in C45 architecture and beyond
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Deposited on a porous a-SiOC:H intermetal dielectric (IMD), a dense a-SiOC:H cap was successfully integrated in a C45 dual damascene architecture. The paper demonstrates that, stopping the CMP with around 10 nm of the cap left, the IMD integrity is preserved. As a consequence, a 3.5% decrease in RC delay, a 7.3% decrease in IMD integrated k-value and an increase of the time to failure by a 100 factor are reached relative to direct CMP. The cap also allowed to achieve straight lines and to improve the lines height uniformity as if CMP stopped on the IMD.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 85, Issue 10, October 2008, Pages 2098–2101
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 85, Issue 10, October 2008, Pages 2098–2101
نویسندگان
L.L. Chapelon, H. Chaabouni, G. Imbert, P. Brun, M. Mellier, K. Hamioud, M. Vilmay, A. Farcy, J. Torres,