کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
540694 | 871333 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Evaluation of plasma damage in ultra-low-k materials with cap film using “extracted k-value” method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
An “extracted k-value” method has been developed for evaluating postdevice-process damage in ultra-low-k materials inside a multi-layer structure. It is found that an in-depth analysis with using X-ray reflectivity (XRR) is very effective for recognizing the nature of the damage. With these methods, it is investigated that the damage generated in porous methylsilsesquioxane (MSQ) during cap-film deposition and the effect of subsequent process for the improvement.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 85, Issue 10, October 2008, Pages 2107–2110
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 85, Issue 10, October 2008, Pages 2107–2110
نویسندگان
Hyoh Takahashi, Yoshio Takimoto, Makoto Masuda, Yoshito Ando,