کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
541790 | 871493 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of the thermal conductivity of insulating thin films by scanning thermal microscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper reports on the abilities of a Scanning Thermal Microscopy (SThM) method to characterize the thermal conductivity of insulating materials and thin films used in microelectronics and microsystems. It gives a review of the previous works on the subject and gives new results allowing showing the performance of a new method proposed for reducing the thermal conductivity of meso-porous silicon by swift heavy ion irradiation. Meso-porous silicon samples were prepared by anodisation of silicon wafers and underwent irradiation by 845 MeV 208Pb ions, with fluences of 4×1011 and 7×1011 cm−2. Thermal measurements show that irradiation reduced thermal conductivity by a factor of up to 2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 44, Issue 11, November 2013, Pages 1029–1034
Journal: Microelectronics Journal - Volume 44, Issue 11, November 2013, Pages 1029–1034
نویسندگان
Séverine Gomès, Pascal Newby, Bruno Canut, Konstantinos Termentzidis, Olivier Marty, Luc Fréchette, Patrice Chantrenne, Vincent Aimez, Jean-Marie Bluet, Vladimir Lysenko,