کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5421090 1507869 2017 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Step-by-step growth of an epitaxial Si4O5N3 single layer on SiC(0001) in ultrahigh vacuum
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Step-by-step growth of an epitaxial Si4O5N3 single layer on SiC(0001) in ultrahigh vacuum
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 661, July 2017, Pages 22-27
نویسندگان
, , ,