کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5422992 | 1507934 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ordered versus random nucleation of InN islands grown by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠InN is deposited on InN/GaN/InN sandwich structures and compared to that on strain-free InN buffers. ⺠Directional ordering of InN islands is found on the sandwich structure, which is absent on the strain-free buffer. ⺠Pair-correlation analysis of the islands reveals the temperature-dependent strength of the ordering.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 606, Issues 1â2, January 2012, Pages 120-123
Journal: Surface Science - Volume 606, Issues 1â2, January 2012, Pages 120-123
نویسندگان
Hao Zheng, M.H. Xie, Q.K. Xue,