کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5422992 1507934 2012 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ordered versus random nucleation of InN islands grown by molecular beam epitaxy
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Ordered versus random nucleation of InN islands grown by molecular beam epitaxy
چکیده انگلیسی
► InN is deposited on InN/GaN/InN sandwich structures and compared to that on strain-free InN buffers. ► Directional ordering of InN islands is found on the sandwich structure, which is absent on the strain-free buffer. ► Pair-correlation analysis of the islands reveals the temperature-dependent strength of the ordering.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 606, Issues 1–2, January 2012, Pages 120-123
نویسندگان
, , ,