کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5424714 | 1395834 | 2008 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ionization of xenon Rydberg atoms at oxidized Si(1Â 0Â 0) surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The ionization of xenon Rydberg atoms excited to the lowest states in the n = 20 Stark manifold at Si(1 0 0) surfaces possessing a robust (â¼10 Ã
) native oxide layer is investigated. The data show that a sizeable fraction of the incident atoms are ionized relatively far from the surface through enhanced tunneling due to the presence of localized stray fields at the surface associated with surface charging or with surface inhomogeneities. A simple model is presented to justify this assertion.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 602, Issue 7, 1 April 2008, Pages 1306-1312
Journal: Surface Science - Volume 602, Issue 7, 1 April 2008, Pages 1306-1312
نویسندگان
D.D. Neufeld, H.R. Dunham, S. Wethekam, J.C. Lancaster, F.B. Dunning,