کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
542765 | 871574 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Heteroepitaxy of In0.53Ga0.47As on GaAs substrate by low pressure metalorganic chemical vapor deposition for the OEIC applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
InP/In0.53Ga0.47As/InP sandwich structure grown by low pressure metalorganic chemical vapor deposition has been investigated, in order to assess the different heteroepitaxy schemes which are based on low temperature (LT) InP metamorphic buffer layer. Photoluminescence (PL) and high resolution X-ray diffraction (HRXRD) and scan probe microscope (SPM) have been carried out to characterize the heteroepitaxy samples. For the best optimum growth condition of 15 nm-thick LT InP buffer at the growth temperature of 450 °C, the full width at half maximum (FWHM) values of the HRXRD, the room-temperature PL were 512 arcsec and 51.7 meV, respectively and the root mean square of SPM is only 0.915 nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 37, Issue 8, August 2006, Pages 700–704
Journal: Microelectronics Journal - Volume 37, Issue 8, August 2006, Pages 700–704
نویسندگان
Aiguang Ren, Xiaomin Ren, Qi Wang, Deping Xiong, Hui Huang, Yongqing Huang,