کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543133 | 871633 | 2010 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
CMOS optoelectronic components for clock distribution
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Optoelectronic components for clock distribution that are fully compatible with all standard CMOS processes are described. Waveguide cores are silicon nitride, while the waveguide cladding is silicon dioxide. Polysilicon photodetectors offer responsivities up to 1.3 A/W, 10–90% rise time of 0.58 ns, and full-width half-max duration of 0.85 ns. Power budget calculations indicate that 1 μA of photocurrent from the end node detectors can be achieved with only 48 μW of optical power input into a 16-node H-tree.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 87, Issue 10, October 2010, Pages 1838–1845
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 87, Issue 10, October 2010, Pages 1838–1845
نویسندگان
Robert Pownall, Charles Thangaraj, Guangwei Yuan, Phil Nikkel, Tom W. Chen, Kevin L. Lear,