کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
5431499 1398022 2018 7 صفحه PDF ندارد دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله
Graphene/lead-zirconate-titanate ferroelectric memory devices with tenacious retention characteristics
ترجمه فارسی عنوان
دستگاه های حافظه فروالکتریک گرافن/سرب زیرکونات _ تیتانات با ویژگی های حفظ پایدار
کلمات کلیدی
گرافن؛ سرب _ زیرکونات _ تیتانات؛ ترانزیستور اثر میدان الکتریکی فیزیکی؛ پسماند فروالکتریک؛ دستگاه حافظه غیر فرار. ویژگی های نگهداری؛
Graphene; Lead-zirconate-titanate; Ferroelectric field-effect transistor; Ferroelectric hysteresis; Nonvolatile memory device; Retention characteristics;
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی انرژی انرژی (عمومی)
چکیده انگلیسی

With the motivation of realizing the high performance graphene-based nonvolatile memory devices, we fabricate and characterize reliable and robust ferroelectric field-effect transistor (FFETs), which are composed of single-layer graphene (SLG) and lead-zirconate-titanate (PZT). After completing all of the fabrication steps, the samples are annealed in vacuum to improve the device characteristics. Through systematic analyses, we investigate an optimal vacuum-annealing condition for improving the memory characteristics of the device. At annealing temperatures at 250–300 °C, both the electrical conduction properties of the SLG channel and the capacitive-coupling abilities of the SLG/PZT/Pt stack are dramatically improved because of the elimination of chemical residues and/or molecular oxygens. Consequently, the vacuum-annealed SLG-PZT FFET displays a great improvement of data retention (∼72% after 10 year) and a large memory window (∼4.1 V). We believe the present study can provide alternative avenues for exploring unprecedented graphene-based memory structures.

Graphical abstractDownload high-res image (126KB)Download full-size image

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Carbon - Volume 126, January 2018, Pages 176-182
نویسندگان
, ,