کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543414 | 1450394 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Oxygen vacancy levels and interfaces of Al2O3
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have calculated the oxygen vacancy levels in Al2O3 using first principles methods. They are found to lie just below midgap in the oxide, equivalent to below the Si valence band edge when aligned to the silicon band structure. This low energy accounts for the behaviour of Al2O3 in oxide capping layers and as an insulator in future Flash memory.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 7–9, July–September 2009, Pages 1668–1671
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 7–9, July–September 2009, Pages 1668–1671
نویسندگان
D. Liu, J. Robertson,