کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543466 | 1450394 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic structure of memory traps in silicon nitride
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
From experiments on photoluminescence in Si3N4 the polaron energy of 1.4 eV was determined. This value is in agreement with the energy of thermal ionization determined from electron and hole transport. Quantum-chemical simulation showed that Si–Si bond is able to capture holes and electrons in Si3N4.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 7–9, July–September 2009, Pages 1866–1869
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 7–9, July–September 2009, Pages 1866–1869
نویسندگان
V.A. Gritsenko, S.S. Nekrashevich, V.V. Vasilev, A.V. Shaposhnikov,