کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543789 | 871684 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation on doping behavior of copper in ZnO thin film
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
An experiment to determine the electronic and chemical states of Cu in a ZnO crystal was performed using Hall measurement, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and low-temperature photoluminescence (PL). Cu atoms showed different behaviors in the ZnO matrix as a function of oxygen gas pressure. Metallic copper (Cu0)-related Cu 2p3/2 peak was observed in highly n-type ZnO:Cu film deposited in 10 mTorr. In the Cu-doped p-type ZnO film prepared in 50 mTorr, CuZn1+-related peak and small CuZn2+-related satellite peak exhibited and the optical acceptor binding energies of Cu3d9 and Cu3d10 were 173 and 213 meV, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 40, Issue 2, February 2009, Pages 272–275
Journal: Microelectronics Journal - Volume 40, Issue 2, February 2009, Pages 272–275
نویسندگان
Gun Hee Kim, Dong Lim Kim, Byung Du Ahn, Sang Yeol Lee, Hyun Jae Kim,