کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5443635 | 1510867 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Regular ArticleGaSb nanocrystals grown by solid phase epitaxy and embedded into monocrystalline silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Regular ArticleGaSb nanocrystals grown by solid phase epitaxy and embedded into monocrystalline silicon Regular ArticleGaSb nanocrystals grown by solid phase epitaxy and embedded into monocrystalline silicon](/preview/png/5443635.png)
چکیده انگلیسی
A double-layer heterostructure with embedded into single-crystal silicon matrix nanocrystals (NCs) of gallium antimonide (GaSb) was grown. The NCs were formed by solid phase epitaxy method using 1.6-nm-thick Ga-Sb stoichiometric mixture and annealing at a temperature range of 200-500 °C. The embedded NCs have a concentration of about 5.4 Ã 1010 cmâ 2, a mean height of 8.6 nm and a mean lateral dimension of 19.2 nm. A stress induced inside the NCs owing to lattice mismatch between Si and GaSb was fully relaxed by edge dislocations at Si/GaSb interface. All the NCs have identical epitaxial relationship: GaSb(111)||Si(111), GaSb11â0 ||Si11â0.
340
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 136, 15 July 2017, Pages 83-86
Journal: Scripta Materialia - Volume 136, 15 July 2017, Pages 83-86
نویسندگان
E.A. Chusovitin, D.L. Goroshko, S.A. Dotsenko, S.V. Chusovitina, A.V. Shevlyagin, N.G. Galkin, A.K. Gutakovskii,