کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
544808 | 871784 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication of a two-step Ni stamp for blind via hole application on PWB
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This study examined imprint lithography with a two-step Ni stamp to solve the laser process problems and simultaneously form a blind via and layer pattern. The Ni stamp was fabricated by electroplating on a dry-etched Si mold, made from a SOI (silicon on insulator) wafer, and pattern replication. For the pattern transfer of the Ni stamp, hot embossing was performed on SU8-coated BT and Si wafer substrates. The residual layer was of a uniform thickness with an embossed shape of acceptable squareness.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 87, Issue 9, November 2010, Pages 1707–1710
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 87, Issue 9, November 2010, Pages 1707–1710
نویسندگان
In-Soo Park, Jin-Soo Kim, Seong-Hun Na, Seung-Kyu Lim, Young-Soo Oh, Su-Jeong Suh,