کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5450169 | 1512860 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Light emissions from a silicon nanocrystal thin film prepared by phase separation of hydrogen silsesquioxane
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report a facile method to prepare thin film of Si nanocrystals embedded SiO2 (Si-NC:SiO2) by annealing a photoresist of hydrogen silsesquioxane (HSQ) at 1100 °C in nitrogen via a phase separation process. The spatial density, photoluminescence intensity, the photoluminescence efficiency and electroluminescence intensity of Si-NC of the sample made from HSQ, or HSQ sample, were 15.0, 5.5, 1.5 and 7.9 times as large as those of the sample made by a traditional method of annealing SiOx (1
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 89, May 2017, Pages 57-60
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 89, May 2017, Pages 57-60
نویسندگان
Chi Zhang, Dong-Chen Wang, Zhi-Quan Zhou, Fei Hu, Ming Lu,