کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5462530 | 1517177 | 2018 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Stress-free InN nanowires grown on graphene by sublimation method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Stress-free InN nanowires (NWs) have been grown on Au/graphene/GaN/sapphire substrate by atmospheric pressure metal-In sublimation method. The phonon E2(high) and A1(LO) mode in Raman spectra of InN grown on graphene is observed at 490.8 and 585â¯cmâ1 respectively, which is similar to that of bulk InN. The high resolution TEM (HRTEM) image of InN NWs shows that the interplanar spacing of (0 0 0 2) and (1 1 â2 0) are 2.85â¯Ã
and 1.77â¯Ã
, which is according with the XRD result. All the results confirm that Au-catalyst assists the growth of InN NWs, and the stress is released by the aid of the graphene inter-layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 211, 15 January 2018, Pages 165-167
Journal: Materials Letters - Volume 211, 15 January 2018, Pages 165-167
نویسندگان
Lin Chen, Yuewen Li, Xiangqian Xiu, Dingding Chen, Xuemei Hua, Zili Xie, Peng Chen, Bin Liu, Ping Han, Rong Zhang, Youdou Zheng,