کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5464283 | 1517422 | 2018 | 32 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Kinetic Monte Carlo simulation for semiconductor processing: A review
ترجمه فارسی عنوان
شبیه سازی جنبشی مونت کارلو برای پردازش نیمه هادی: یک بررسی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
جنبشی مونت کارلو، شبیه سازی فرآیند، پردازش نیمه هادی، سیلیکون،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
In this work we describe the models, its implementation into KMC, and we show several comparisons with significant experimental data validating the KMC approach and showing its capabilities. How extra capabilities can be included by extending the models to current problems in the semiconductor industry is also commented, in particular the use of SiGe alloys and the introduction of stress dependencies.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Progress in Materials Science - Volume 92, March 2018, Pages 1-32
Journal: Progress in Materials Science - Volume 92, March 2018, Pages 1-32
نویسندگان
Ignacio Martin-Bragado, Ricardo Borges, Juan Pablo Balbuena, Martin Jaraiz,