کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6942594 | 1450294 | 2018 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Forming-free resistive switching characteristics in tantalum oxide and manganese oxide based crossbar array structure
ترجمه فارسی عنوان
خصوصیات سوئیچینگ مقاومت بدون تشکیل بدون ساختار آرایه ای بر روی اکسید تانتالم و اکسید منگنز
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 190, 15 April 2018, Pages 7-10
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 190, 15 April 2018, Pages 7-10
نویسندگان
Quanli Hu, Mi Ra Park, Haider Abbas, Tae Su Kang, Tae-Sik Yoon, Chi Jung Kang,