کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943699 | 1450369 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
ALD deposited ZrO2 ultrathin layers on Si and Ge substrates: A multiple technique characterization
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- Ultra thin ZrO2 layers were grown by ALD technique on p-Si, strained Si and p-Ge substrates.
- The stoichiometry, thickness and valence band electronic structure were obtained through XPS analysis.
- AFM measurements suggest that the deposition method is successful for the formation of ultrathin ZrO2.
- C-V and G-V characteristics reveal typical MOS structure behavior, with Dit values of the order of 1012Â eVâ1Â cmâ2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 112, December 2013, Pages 208-212
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 112, December 2013, Pages 208-212
نویسندگان
M.A. Botzakaki, N. Xanthopoulos, E. Makarona, C. Tsamis, S. Kennou, S. Ladas, S.N. Georga, C.A. Krontiras,