کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7117416 | 1461360 | 2018 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis of memristor-like behaviors in Au/Ti52Cu48Ox/TiAlV structure with gradient elements distribution
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In the paper memristive-like properties are discussed for the thin film of semiconducting (TixCu1-x)-oxide system with gradient elements distribution. The test structure was prepared using multimagnetron co-sputtering process with separate Ti and Cu targets. Based on optical and work function measurements, a discussion about the band-gap alignment of the prepared thin film with respect to the used Au and TiAlV electrical contacts has been presented. Additionally memristive properties were analyzed using ion drift model. Performed theoretical analyses together with electrical and structural investigations allowed to propose an explanation of presence of pinched hysteresis loops observed during direct and alternating current measurements.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 87, 15 November 2018, Pages 167-173
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 87, 15 November 2018, Pages 167-173
نویسندگان
Jaroslaw Domaradzki, MichaÅ Mazur, Tomasz Kotwica,