کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7119694 | 1461429 | 2014 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of annealing temperature on nanostructured thin films of tungsten trioxide
ترجمه فارسی عنوان
تأثیر دما بر گرم شدن نانوکامپوزیتی نانوکامپوزیت تنگستن تریاکساید
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
تریاکسید تنگستن، اثر انلینگ، فوتولومینسانس، جای خالی اکسیژن، سنسور گاز،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
Tungsten trioxide thin films of ~300 nm thickness have been deposited on indium tin oxide coated glass and silicon substrates by thermal evaporation technique. Influence of annealing temperature on the structural, vibrational, morphological, optical and gas sensing properties of these films has been extensively studied to search out the possible applications in opto-electronic and gas sensing devices. From the studies of optical transmittance spectra it is observed that optical band gap decreases from 3.24 to 2.72 eV with increase in annealing temperature. It is also observed that because of annealing the photoluminescence yield of the films increases. All films, especially the annealed films have shown reasonably good gas sensing behavior in acetylene environment. The film annealed at 500 °C shows better optical as well as gas sensing behaviors and hence can have good device applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 17, January 2014, Pages 43-52
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 17, January 2014, Pages 43-52
نویسندگان
Ashutosh Kumar, Sunita Keshri, Debulal Kabiraj,