کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7150242 1462187 2018 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Theoretical analysis of the charge collection at a nano-Schottky contact
ترجمه فارسی عنوان
تجزیه و تحلیل نظری جمع آوری شارژ در تماس نانو-شاتکی
کلمات کلیدی
معادله نفوذ، نیمه هادی، دیود نانو-شاتکی، مجموعه شارژ، سرعت بازسازی
ترجمه چکیده
تجزیه و تحلیل نظری جریان موجود در نیمه هادی ها در روش پرتو الکترون القایی در مورد تماس نانو-شاتکی داده شده است. پرتو الکترونی در بروز طبیعی است و سرعت بازسازی سطحی برابر با صفر است. تجزیه و تحلیل بر اساس استفاده از شرایط مرزی جدید اعمال شده توسط اندازه نانو مقیاس و شکل الکترود است. عبارات مختلف جریان جبری بوسیله معادله دیفرانسیل به عنوان تابع مختصات قطبی بدست می آیند و قابلیت اطمینان آنها به منظور توصیف پروفیل های جریان القایی مورد استفاده قرار می گیرد که می تواند برای تعیین طول نفوذ حامل اقلیت مورد استفاده قرار گیرد. تمام عبارات جاری بستگی به اندازه نانوذرات دارد که اهمیت زیادی در فرآیند جمع آوری شارژ دارد، اما نه در ناحیه تماس نانو.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
A theoretical analysis of the current collected in semiconductors in the electron beam induced current technique in the case of a nano-Schottky contact is given. The electron beam is in normal incidence and the surface recombination velocity is taken to be equal to zero. The analysis is based on the use of new boundary conditions imposed by the nano-scale size and shape of the electrode. Different expressions of the induced current are obtained from the diffusion equation as a function of polar coordinates, and their reliability are analyzed for the purpose of describing the induced current profiles which can be used for the determination of the minority carrier diffusion length. All expressions of the current depend on the nano-contact size, which has a great importance in the charge collection process, but not on nano-contact area.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 146, August 2018, Pages 34-38
نویسندگان
,