کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
726909 | 892657 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of vapor-annealed gate dielectric on the properties of zinc tin oxide transparent thin film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We investigated the effects of vapor-annealed gate dielectrics on the mobility, threshold voltage, and other characteristics of bottom gate zinc tin oxide (ZTO) transparent thin film transistors (TTFTs). Here, Al2O3 films coated on dry oxidized Si wafers were annealed in a water vapor atmosphere before ZTO deposition and used as TTFT gate dielectrics. The vapor-annealed ZTO TTFTs exhibited 50% higher mobility than those that were not vapor annealed. This improvement in mobility is ascribed to the hydrogen passivation in the amorphous ZTO films
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 16, Issue 2, April 2013, Pages 369–373
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 16, Issue 2, April 2013, Pages 369–373
نویسندگان
Mu Hee Choi, Tae Young Ma,