کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
727931 | 1461404 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of a hybrid pn junction via p-type aluminium induced crystallized polycrystalline silicon on hydrothermally grown n-type zinc oxide nanowires
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
p-Type silicon coated zinc oxide (ZnO) nanowire heterojunction was fabricated using a combination of aluminium induced crystallization (AIC) and hydrothermal growth. The p-type AIC Si/n-type ZnO nanowires stacked layers were extensively characterized by scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive spectroscopy (EDX), UV–vis spectroscopy, XRD, photoluminescence emission spectroscopy and electrical measurements. Photovoltaic measurements indicate that the device is light-sensitive and maybe of potential in sensor applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 43, 1 March 2016, Pages 134–138
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 43, 1 March 2016, Pages 134–138
نویسندگان
Ian Yi-yu Bu,