کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729136 | 892869 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical properties of Au–Sb/p-GaSe:Gd Schottky barrier diode
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Experimental results of the fabricated Schottky barrier diode on a GaSe:Gd substrate are presented. The electrical analysis of Au–Sb/p-GaSe:Gd structure has been investigated by means of current–voltage (I–V) and capacitance–voltage (C–V) measurements at 296 K temperature. The diode ideality factor and the barrier height have been obtained to be 1.07 and 0.85 eV, respectively, by applying a thermionic emission theory. At high currents in the forward direction, the series resistance effect has been observed. The series resistance has been determined from I–V measurements using Cheung's method.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 12, Issue 6, December 2009, Pages 243–247
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 12, Issue 6, December 2009, Pages 243–247
نویسندگان
Songül Duman,