کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729837 | 1461433 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Pyramid-like nanostructures created by Si homoepitaxy on Si(0 0 1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on the formation of different arrays of pyramid-like Si nanostructures at the onset of silicon homoepitaxial growth. Such nano-objects are observed to reproducibly develop in Si films grown by molecular beam epitaxy on HF-treated Si(0 0 1) substrates, for a narrow set of growth conditions. A rich variety of surface morphologies (from pyramidal island arrays to square pit distributions) is found depending on film thickness and substrate temperature. These arrangements of nano-scale entities (islands or pits) display certain self-assembly and ordering features (concerning size, shape and spacing) with interesting similarities to other homoepitaxial and heteroepitaxial material systems.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 12, Issues 1–2, February–April 2009, Pages 52–56
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 12, Issues 1–2, February–April 2009, Pages 52–56
نویسندگان
N. Galiana, P.P. Martin, C. Munuera, M. Varela, C. Ocal, M. Alonso, A. Ruiz,