کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747849 | 1462219 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Reliability study of organic complementary logic inverters using constant voltage stress
ترجمه فارسی عنوان
بررسی قابلیت اطمینان از مبدل های منطقی مکمل منطقی با استفاده از استرس ولتاژ ثابت
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ترانزیستورهای نازک آلرژی، قابلیت اطمینان، فشار اضطراب، اینورتر منطقی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
We performed constant voltage stresses with different bias conditions on all-organic complementary inverters. We found a 20% maximum variation of DC inverter parameters after a 104-s stress. However, the largest stress-induced degradation was found in the delay times, which increased by a factor as high as 7. This is mainly due to the threshold voltage variation of the p-type thin-film-transistor and the mobility reduction of the n-type thin-film transistors, which both decrease the saturation drain current.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 113, November 2015, Pages 151–156
Journal: Solid-State Electronics - Volume 113, November 2015, Pages 151–156
نویسندگان
N. Wrachien, A. Cester, N. Lago, A. Rizzo, R. D’Alpaos, A. Stefani, G. Turatti, M. Muccini, G. Meneghesso,