کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748170 | 894740 | 2009 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
On the validity of the effective mass approximation and the Luttinger k.p model in fully depleted SOI MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The confined states in strained silicon fully depleted silicon-on-insulator MOSFETs are investigated using full-band k.p method within the envelope-function approximation. Full-band calculations of important transport parameters – energy band shifts, curvature masses and density-of-state masses – show new results, rising the issues of the limit of simple models like the effective mass approximation and the 6-level k.p model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 4, April 2009, Pages 452–461
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 4, April 2009, Pages 452–461
نویسندگان
D. Rideau, M. Feraille, M. Michaillat, Y.M. Niquet, C. Tavernier, H. Jaouen,