کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7876479 | 1509529 | 2018 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High mobility single-crystalline-like silicon thin films on inexpensive flexible metal foils by plasma enhanced chemical vapor deposition
ترجمه فارسی عنوان
تحرک بالا بر روی فیلم های نازک سیلیکونی تک فاز بر روی فلزی ورق فلزی انعطاف پذیر با افزایش پلاسمای تهیه پوشش بخار شیمیایی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
رشد اپیتاشیال، رسوبات بخار شیمیایی، سیلیکون، الکترونیک انعطاف پذیر، تحرک بالا،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
چکیده انگلیسی
Epitaxial single-crystalline-like Silicon films were deposited using plasma-enhanced chemical vapor deposition on low-cost, light-weight and flexible metal foils. Controllable doping with high electron and hole mobilities were achieved.237
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Acta Materialia - Volume 147, 1 April 2018, Pages 51-58
Journal: Acta Materialia - Volume 147, 1 April 2018, Pages 51-58
نویسندگان
P. Dutta, Y. Gao, M. Rathi, Y. Yao, Y. Li, M. Iliev, J. Martinez, V. Selvamanickam,