کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7915890 | 1511034 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
MgB2 wires with Ti and NbTi barrier made by IMD process
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
MgB2 wires with Ti and NbTi barriers have been made by internal magnesium diffusion (IMD) into boron process. Critical currents, strain tolerances and AC loss of wires with Ti and NbTi barriers have been compared. It was shown that worse uniformity of NbTi barrier affects the creation of regular MgB2 layer and consequently influences (reduces) also the current densities. Positive effects of NbTi barrier are in improved strain tolerance and reduced coupling losses. The maximum AC loss of not twisted wire with Ti barrier is measured at frequency 9Â Hz, but it is shifted up to 60Â Hz for NbTi due to considerably increased barrier resistance at 20Â K.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Cryogenics - Volume 79, October 2016, Pages 74-78
Journal: Cryogenics - Volume 79, October 2016, Pages 74-78
نویسندگان
P. KováÄ, I. HuÅ¡ek, M. Kulich, T. MeliÅ¡ek, J. KováÄ, L. Kopera,