کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7924436 | 1512279 | 2017 | 33 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural, electrical and luminescent characteristics of ultraviolet light emitting structures grown by hydride vapor phase epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Electrical and luminescent properties of near-UV light emitting diode structures (LEDs) prepared by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) were studied. Variations in photoluminescence and electroluminescence efficiency observed for LEDs grown under nominally similar conditions could be attributed to the difference in the structural quality (dislocation density, density of dislocations agglomerates) of the GaN active layers, to the difference in strain relaxation achieved by growth of AlGaN/AlGaN superlattice and to the presence of current leakage channels in current confining AlGaN layers of the double heterostructure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Modern Electronic Materials - Volume 3, Issue 1, March 2017, Pages 32-39
Journal: Modern Electronic Materials - Volume 3, Issue 1, March 2017, Pages 32-39
نویسندگان
A.Y. Polyakov, Jin-Hyeon Yun, A.S. Usikov, E.B. Yakimov, N.B. Smirnov, K.D. Shcherbachev, H. Helava, Y.N. Makarov, S.Y. Kurin, N.M. Shmidt, O.I. Rabinovich, S.I. Didenko, S.A. Tarelkin, B.P. Papchenko, In-Hwan Lee,