کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7938494 | 1513181 | 2018 | 23 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Bending-strain-induced localized density of states in amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors
ترجمه فارسی عنوان
تراکم موضعی ناشی از خمش کشش در حالت های ترانزیستورهای نازک نازک-بیسیم گالیم-روی-اکسید آمورف
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
In this study, we examine the electrical characteristics of amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-IGZO) thin-film transistors (TFTs) under bending strains by TCAD and SPICE simulations. Bending strains induce modifications of the localized density of states (DOS) in a-IGZO channel materials, which, in turn, cause changes in the electrical characteristics of the TFTs. The bending-strain-induced localized DOS, the above-threshold current, subthreshold current, and field-effect mobility are analyzed with the calibration of the current-versus-voltage curves of a reference device by TCAD simulation. Moreover, the device parameters that affect the device performance in SPICE simulation are calibrated to aid in SPICE modeling of the strained oxide TFTs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 120, August 2018, Pages 60-66
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 120, August 2018, Pages 60-66
نویسندگان
Sola Woo, Minsuk Kim, Hyungon Oh, Kyoungah Cho, Sangsig Kim,