کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7939719 1513189 2017 11 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A breakdown enhanced AlGaN/GaN MISFET with source-connected P-buried layer
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
A breakdown enhanced AlGaN/GaN MISFET with source-connected P-buried layer
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 112, December 2017, Pages 517-527
نویسندگان
, , , , ,