کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7941091 1513199 2017 8 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improving breakdown voltage and self-heating effect for SiC LDMOS with double L-shaped buried oxide layers
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Improving breakdown voltage and self-heating effect for SiC LDMOS with double L-shaped buried oxide layers
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 102, February 2017, Pages 147-154
نویسندگان
, ,