کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7941179 1513199 2017 8 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Split gate SOI trench LDMOS with low-resistance channel
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Split gate SOI trench LDMOS with low-resistance channel
چکیده انگلیسی
Schematic cross-sectional view of (a) the SGTL-LDMOS; (b) the SGT-LDMOS; (c) the CT-LDMOS.95
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 102, February 2017, Pages 399-406
نویسندگان
, , , ,