کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7941179 | 1513199 | 2017 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Split gate SOI trench LDMOS with low-resistance channel
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Schematic cross-sectional view of (a) the SGTL-LDMOS; (b) the SGT-LDMOS; (c) the CT-LDMOS.95
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 102, February 2017, Pages 399-406
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 102, February 2017, Pages 399-406
نویسندگان
Ying-Wang Ying-Wang, Yi-fan Wang, Yan-juan Liu, Yang-Wang Yang-Wang,