کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8023606 | 1517536 | 2018 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of substrate temperature on the deposition of Al-doped ZnO thin films using high power impulse magnetron sputtering
ترجمه فارسی عنوان
تاثیر دمای سوبسترای بر رسوب آلیاژهای نازک آلومینیوم با استفاده از اسپکترومغناطیسی مگنترون
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
Al-doped ZnO thin films were deposited using reactive high power impulse magnetron sputtering at substrate temperatures between room temperature and 600â¯Â°C. Two sample series with different oxygen partial pressures were studied. The films with the lowest resistivity of 3â¯Ãâ¯10â4â¯Î©â¯cm were deposited at the highest substrate temperature of 600â¯Â°C. The improvement of the electrical properties could be related to an improvement of the mobility due to the improved crystallinity. This improved crystallinity also increased the stability of the films towards ambient moisture. On the other hand, the detrimental influence of negative oxygen bombardment could be avoided, as the HiPIMS process can take place in the metal or transition mode even at relatively high oxygen partial pressures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 347, 15 August 2018, Pages 245-251
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 347, 15 August 2018, Pages 245-251
نویسندگان
Martin Mickan, Ulf Helmersson, David Horwat,