کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8039232 | 1518602 | 2018 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Anisotropy effect of crater formation on single crystal silicon surface under intense pulsed ion beam irradiation
ترجمه فارسی عنوان
اثر آنیزوتروپیک تشکیل دهانه بر روی سطح سیلیکون تک بلوری تحت اشعه پرتوهای پرتو یون پالسی شدید
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
پرتو یون پرتوی شدید دهانه سیلیکون کریستال تک، روش عنصر محدود میدان حرارتی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
چکیده انگلیسی
Due to the induced extremely fast thermal and dynamic process, Intense Pulsed Ion Beam (IPIB) is widely applied in material processing, which can bring enhanced material performance and surface craters as well. To investigate the craters' formation mechanism, a specific model was built with Finite Element Methods (FEM) to simulate the thermal field on irradiated single crystal silicon. The direct evidence for the existence of the simulated 6-fold rotational symmetric thermal distribution was provided by electron microscope images obtained on single crystal silicon. The correlation of the experiment and simulation is of great importance to understand the interaction between IPIB and materials.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 421, 15 April 2018, Pages 7-12
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 421, 15 April 2018, Pages 7-12
نویسندگان
Jie Shen, Xiao Yu, Jie Zhang, Haowen Zhong, Xiaojun Cui, Guoying Liang, Xiang Yu, Wanying Huang, Ijaz Shahid, Xiaofu Zhang, Sha Yan, Xiaoyun Le,