کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9567636 | 1503719 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Determination of growth modes via spectroscopy: new simple analytical models
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
68.35.Fx81.15.Aa68.55.Ac68.47.JnSurface diffusion - انتشار سطحFilm growth - رشد فیلمAuger Electron Spectroscopy (AES) - طیف الکترونی آئور (AES)X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) - طیفبینی فوتوالکترون پرتو ایکسGrowth model - مدل رشدLow energy ion scattering (LEIS) - پراکندگی یونهای انرژی پایین (LEIS)
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Analytical models for the determination of thin film growth modes were developed on the basis of the simultaneous multilayer (SM) growth model. The models take into account up-step and down-step diffusion, enabling quick identification of the growth modes from experimentally obtained spectroscopic data. We tested the models by applying them to growth data from the literature that had been recorded via Auger electron spectroscopy (AES), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), and low-energy ion scattering (LEIS). We discuss the applicability of the new analytical models in comparison with the diffusion-corrected simultaneous multilayer (DCSM) model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 240, Issues 1â4, 15 February 2005, Pages 189-196
Journal: Applied Surface Science - Volume 240, Issues 1â4, 15 February 2005, Pages 189-196
نویسندگان
Qiang Fu, Thomas Wagner,