کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670449 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of TiN metal gate on Si/SiO2 surface roughness in N and PMOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this article, we report the influence of TiN gate on electron and hole channel mobility at low temperatures down to 13K. TiN gate is found to modify the Si/SiO2 surface roughness limited mobility term as compared to Poly-Si gate, leading to a modification of the high field effective mobility behaviour. Interface roughness is shown to be process dependent (CVD vs. MOCVD). An analytical model of surface roughness scattering is used to link our electrical results to morphological roughness parameters.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 11-14
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 11-14
نویسندگان
L. Thevenod, M. Cassé, M. Mouis, G. Reimbold, F. Fillot, B. Guillaumot, F. Boulanger,