کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670452 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optimisation of a thin epitaxial Si layer as Ge passivation layer to demonstrate deep sub-micron n- and p-FETs on Ge-On-Insulator substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A key challenge in the engineering of Ge MOSFETs is to develop a proper Ge surface passivation technique prior to high-k dielectric deposition to obtain low interface state density and high carrier mobility. In this work, we optimise a thin, epitaxially grown, Si layer for this purpose. HfO2 is used as the high-k dielectric. With CV and TEM analysis, it is shown that the Si thickness must be controlled within a few monolayers to obtain a high-quality, defect free Ge - HfO2 interfacial layer. Ge deep sub-micron n- and p-FET devices fabricated with this technique yield promising device characteristics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 26-29
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 26-29
نویسندگان
B. De Jaeger, R. Bonzom, F. Leys, O. Richard, J. Van Steenbergen, G. Winderickx, E. Van Moorhem, G. Raskin, F. Letertre, T. Billon, M. Meuris, M. Heyns,