کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670455 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Abrupt model interface for the 4H(1000)SiC-SiO2 interface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Through the sequential use of classical molecular dynamics and first-principles relaxation methods, we generate an abrupt model interface for the 4H(0001)SiC-SiO2 interface showing regular structural parameters without any coordination defect. The bond density reduction at the interface is achieved through the use of two interfacial structural units which connect the disordered oxide to the abrupt crystalline substrate. The present model demonstrates that the sole topological constraints at SiC substrates do not preclude the occurrence of oxides of similar quality as compared to those found on Si substrates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 38-41
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 38-41
نویسندگان
Fabien Devynck, Feliciano Giustino, Alfredo Pasquarello,