کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670458 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of interface state densitiesby photocurrent analysis: comparison of results for different insulator layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work, silicon insulator interfaces are characterized by detailed photocurrent analysis. Results obtained for a variety of samples with different insulator layers and layer thicknesses are presented and discussed. The results show the applicability of the technique for a reliable process control and include data on high-k layers for the first time. Comparison of experiment and simulation is used to explain the injection level dependence of the measurements.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 50-53
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 50-53
نویسندگان
M. Rommel, M. GroÃ, A. Ettinger, M. Lemberger, A.J. Bauer, L. Frey, H. Ryssel,