کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670467 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of the dielectric thickness and the metal deposition technique on the mobility for HfO2/TaN NMOS devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper the effects from the high-κdielectric thickness and the metal gate deposition technique on the mobility of n-channel MOS transistors are investigated. The results reveal mobility degradation due to an increase of charge density in the dielectric and / or at the material interfaces, not efficiently compensated by the screening effect from the gate. We correlate this mobility degradation to the reduction observed in a comparison between metal and poly-Si gated MOSFETs. It is shown that the mobility can be improved by using different metals deposition technique, which indicates that the mobility reduction is related to the deposition technique.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 86-89
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 86-89
نویسندگان
L. Trojman, L.-Ã
. Ragnarsson, L. Pantisano, G.S. Lujan, M. Houssa, T. Schram, F. Cubaynes, M. Schaekers, A. Van Ammel, G. Groeseneken, S. De Gendt, M. Heyns,