کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670468 | 1450403 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigating physical and chemical changes in high-k gate stacks using nanoanalytical electron microscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The thermal budget involved in processing high-k gate stacks can cause undesirable physical and chemical changes which limit device performance. The transmission electron microscope and associated analytical techniques provide a way of investigating these changes on a sub-nanometre scale. Using electron energy loss near edge structure (ELNES), information on the local chemistry may be extracted. These techniques are applied to high-k dielectric stacks grown on Si and containing HfO2 and HfSiO layers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 90-97
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 90-97
نویسندگان
A.J. Craven, M. MacKenzie, D.W. McComb, F.T. Docherty,