کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670475 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interface state generation in pFETs with ultra-thin oxide and oxynitride on (100) and (110) Si substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The effect of negative bias stress on p-FETs is compared for oxide vs. oxynitride gate dielectric, and for (110) vs. (100) surface orientation. Nitrogen causes increased interface state generation near the conduction band edge and reduced defect generation at mid-gap. For oxynitride grown on (110) surface only slight difference is seen compared to (100). The hole trapping contribution to the Vt shift is greater at room temperature compared to 125 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 126-129
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 126-129
نویسندگان
J.H. Stathis, R. Bolam, M. Yang, T.B. Hook, A. Chou, G. Larosa,