کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670476 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Positive Bias Temperature Instability in nMOSFETs with ultra-thin Hf-silicate gate dielectrics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Positive bias temperature instability (PBTI) in nMOSFETs with ultra thin HfSiON gate dielectrics has been investigated. We propose that PBTI is due to electron trapping in the high-k dielectrics layer and we present results of measurements performed at different bias condition and temperatures consistent with the proposed model. Extrapolated lifetimes indicate that PBTI in HfSiON gate dielectrics severely impacts the reliability of CMOS devices only in the case of Hf rich-layers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 130-133
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 130-133
نویسندگان
F. Crupi, C. Pace, G. Cocorullo, G. Groeseneken, M. Aoulaiche, M. Houssa,