کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670479 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
LaAlO3 films prepared by MBE on LaAlO3(001) and Si(001) substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The aim of this work was to investigate the potentiality of molecular beam epitaxy techniques to prepare high-κ LaAlO3 (LAO) films on silicon (001). First, the homoepitaxial growth of LAO was demonstrated for growth temperatures higher than 520 °C. Then, amorphous LAO films were prepared on p-type Si(001) substrates with no interfacial SiO2 formation. LAO layers directly grown on Si(001) appear to be single crystalline at growth temperatures higher than 600 °C but show interfacial reactions. Electrical measurements demonstrate that the growth temperature has a critical impact on 1eakage current. LAO films grown under atomic oxygen have a higher permittivity and a lower charge density than films grown under molecular oxygen.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 146-149
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 146-149
نویسندگان
S. Gaillard, Y. Rozier, C. Merckling, F. Ducroquet, M. Gendry, G. Hollinger,