کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670480 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Rare-earth scandate single- and multi-layer thin films as alternative gate oxides for microelectronic applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Thin films of rare-earth scandates (RE ScO3) as well as multi-layers of scandates and titanates have been prepared using pulsed laser deposition. Epitaxial films were grown on SrRuO3/SrTiO3(100) as well as amorphous films on silicon substrates. The epitaxial films are investigated to measure the physical properties of the crystalline material. Electrical measurements (CV, leakage current) show for example high ϵr > 20 for the scandates and ϵr > 35 for the epitaxial and amorphous multi-layer films. A diffusion of the new materials into silicon is not observed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 150-153
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 150-153
نویسندگان
T. Heeg, M. Wagner, J. Schubert, Ch. Buchal, M. Boese, M. Luysberg, E. Cicerrella, J.L. Freeouf,