کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670488 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Understanding oxide degradation mechanisms in ultra-thin SiO2 through high-speed, high-resolution in-situ measurements
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A model is proposed and validated for the degradation mechanisms occurring in ultra-thin SiO2 at real operation conditions, based on high-resolution, high-speed in-situ measurements. This state-of-the-art set-up proves that oxide degradation still occurs at low stress conditions and allows distinguishing quantitatively the SILC-contribution from the contribution due to trapping.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 182-185
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 182-185
نویسندگان
S. Aresu, W. De Ceuninck, R. Degraeve, B. Kaczer, G. Knuyt, L. De Schepper,